IKD06N60R دیتاشیت

IKD06N60R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IKD06N60R
حجم فایل 907.387 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت IKD06N60R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IKD03N60RF 16 pages

IKD03N60RF 16 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Trench
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Infineon Technologies IKD03N60RF
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 5A
  • Power Dissipation (Pd): 53.6W
  • Input Capacitance (Cies@Vce): -
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.09mJ
  • Pulsed Collector Current (Icm): 7.5A
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 31ns
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 600V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): -
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Part id: 757334

محصولات مشابه